4 Layer ENIG PCB 8329
သတ္တုတစ်ဝက်တွင်း PCB ၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ
ပတ်ပတ်လည်အပေါက်ကိုဖွဲ့စည်းပြီးနောက်သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောတစ်ဝက်ကိုတစ်ဝက်ဖြတ်တောက်သည်။ ၎င်းသည်တွင်းတစ်ဝက်တွင်ကြေးနီဝါယာကြိုးကြွင်းများနှင့်ကြေးနီသားရေများကွဲခြင်း၏ဖြစ်စဉ်ကိုပေါ်လွင်ရန်လွယ်ကူပြီး၎င်းသည်တစ်ခြမ်းပေါက်၏လုပ်ဆောင်ချက်ကိုထိခိုက်စေပြီးထုတ်ကုန်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အထွက်နှုန်းကျဆင်းစေသည်။ အထက်ပါချို့ယွင်းချက်များကိုကျော်လွှားနိုင်ရန် metallized semi-orifice PCB ၏အောက်ပါလုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များအတိုင်းဆောင်ရွက်ရမည်။
၁။ အပေါက်တစ်ခြမ်းကိုနှစ်ဆခွဲ။ V အမျိုးအစားဓား
၂။ ဒုတိယအကြိမ်တူးဖော်ခြင်းတွင်လမ်းညွှန်အပေါက်ကိုအပေါက်အစွန်းတွင်ထည့်ထားသည်၊ ကြေးနီအရေကိုကြိုတင်ဖယ်ရှားပြီးဖွဲနုသည်လျော့ကျသွားသည်။ လျှောကျနှုန်းကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်တူးဖော်ရာတွင်အသုံးပြုသည်။
၃။ ပန်းကန်အစွန်း၏ပတ်ပတ်လည်ရှိအပေါက်နံရံပေါ်တွင်ကြေးနီအဝါတစ်ထပ်အလွှာကိုအလွှာပေါ်တွင်ထားပါ။
၄ င်းအပြင်ဘက်ပတ်လမ်းအားအဖုံးအလွှာ၏ထိတွေ့မှုနှင့်ဖွံ့ဖြိုးမှုတို့ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ ထို့နောက်အလွှာကိုကြေးနီနှင့်သံဖြူဖြင့်နှစ်ကြိမ်ခွဲထားသည်။ ပန်းကန်ပြားသည်ထူလာပြီးကြေးနီအလွှာကိုသံဖြူအလွှာဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသည်။
၅။ ပန်းကန်ပုံစံအနားအပေါက်တစ်ဝက်ကိုအပေါက်တစ်ဝက်ဖြစ်အောင်တစ်ခြမ်းဖြတ်ပါ။
၆။ ရုပ်ရှင်ကိုဖယ်ရှားခြင်းအားဖြင့်နှိပ်ခြင်းအားဖြင့်ဆန့်ကျင်သောဖလင်ကိုဖယ်ရှားလိမ့်မည်။
၇။ အလွှာကိုအမှတ်ခြစ်ပြီးရုပ်ရှင်ကိုဖယ်ရှားပြီးနောက်အလွှာ၏အပြင်ဘက်အလွှာတွင်ထိတွေ့ထားသောကြေးနီပုံကိုဖယ်ရှားပါ။
Tin peeling အလွှာကိုအခွံခွာပြီးတစ်ခြမ်းဖောက်ထားသောနံရံမှသံဖြူကိုဖယ်ရှားလိုက်ပြီးတစ်ပိုင်းနံရံပေါ်ရှိကြေးနီအလွှာကိုထုတ်သည်။
၈။ ပုံသွင်းပြီးသောအခါယူနစ်ပြားများကိုအတူကပ်ရန်နှင့်အယ်ကာလိုင်းအမှတ်ခြစ်ထားသောမျဉ်းများပေါ်တွင် burrs များကိုဖယ်ရှားပါ
၉။ ဒုတိယအလွှာတွင်ကြေးနီပန်းကန်နှင့်သံဖြူကိုအခင်းအဖြစ်ပြီးနောက်ပန်းကန်အစွန်း၏ပတ် ၀ န်းကျင်ကိုအပေါက်တစ်ဝက်ဖြစ်အောင်တစ်ခြမ်းဖြတ်တောက်သည်။ အပေါက်နံရံ၏ကြေးနီအလွှာကိုသွပ်အလွှာနှင့်ဖုံးအုပ်ထားသောကြောင့်အပေါက်နံရံ၏ကြေးနီအလွှာသည်ကြေးနီအလွှာ၏အပြင်ဘက်အလွှာ၏ကြေးနီအလွှာနှင့်အပြည့်အဝဆက်သွယ်ထားသည်။ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ကြေးဖြတ်ခြင်းကဲ့သို့ဖြစ်ရပ်များကိုဖြတ်တောက်သောအခါနံရံကိုထိရောက်စွာရှောင်ရှားနိုင်သည်။
၁၀။ Semi-hole ဖွဲ့စည်းခြင်းပြီးစီးပြီးနောက်ရုပ်ရှင်ကိုဖယ်ရှားပါ၊ etch လုပ်ခြင်းဖြင့်ကြေးနီမျက်နှာပြင်ဓာတ်တိုးခြင်းမဖြစ်ပေါ်စေပါ၊ ကြေးနီအကြွင်းအကျန်များနှင့် short circuit ဖြစ်စဉ်များကိုထိထိရောက်ရောက်ကာကွယ်နိုင်သည်။